ARM 单片机不止传统用的哪几家，还有ADI，哈哈哈哈哈。所以学过的知识可以迁移。

在以前就写过355的相关内容。

Emstat pico ADuCM355电化学模组详细解读

ADuCM355+LTC6078 电化学测量系统

ADuCM355电化学模拟前端-Keli编译版

 ARM-Cortex M核心的启动过程   上午写过ARM的启动过程，也可以看看355的启动过程。

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1. afe_die_registers 7 KiB 描述：AFE（模拟前端）相关的寄存器区域。AFE通常用于处理模拟信号（如传感器信号），这部分内存用于存储AFE模块的配置和控制寄存器。2. digital_die_registers  276 KiB 数字核心相关的寄存器区域。这部分内存用于存储数字外设（如GPIO、UART、SPI等）的配置和控制寄存器。3. dRAM_always_retained_region 8 KiB 始终保留的DRAM区域。这部分内存在芯片休眠或复位时不会被清除，通常用于存储关键数据或状态信息。4. dRAM_bank1_retained_region 8 KiB Bank1保留的DRAM区域。这部分内存在特定条件下（如休眠模式）可以保留数据，通常用于存储需要持久化的数据。5. dRAM_bank2_retained_region 16 KiB Bank2保留的DRAM区域。与Bank1类似，但容量更大，适用于存储更多的持久化数据。6. dRAM_never_retained_region 32 KiB 从不保留的DRAM区域。这部分内存在芯片休眠或复位时会被清除，通常用于存储临时数据或缓存。7. IROM1 128 KiB 内部ROM区域。这部分内存通常用于存储固件或引导代码，是只读的，用于芯片启动时加载和执行初始代码。8. uart_registers UART（通用异步收发传输器）相关的寄存器区域。这部分内存用于配置和控制UART通信模块。

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其实没有什么库说明，就找个合适的demo去修改

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文件分类就比较好

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使用了正儿八经的CMSIS，ADI没啥MCU的野心，听ARM的话

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定义符号__intial_sp指向栈顶。

如果使用堆，还需定义符号__heap_base和__heap_limit。

堆栈配置：堆栈大小为 0x400（1KB）。使用 AREA 指令定义了一个名为 STACK 的区域，用于存储堆栈。__initial_sp 是堆栈的初始指针。堆VS栈（Stack & Heap）-看这里堆配置：堆大小为 0xC00（3KB）。使用 AREA 指令定义了一个名为 HEAP 的区域，用于存储堆。__heap_base 和 __heap_limit 分别表示堆的起始和结束地址。

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跟着是向量表

中断向量表：定义了芯片的中断向量表，包括系统异常（如复位、NMI、硬错误等）和外部中断（如GPIO、UART、SPI等）。每个中断向量对应一个处理函数（Handler），默认情况下这些函数是弱定义的（[WEAK]），可以被用户重写。__vector_table_Size 计算了向量表的大小。

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都是这样的

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复位

复位处理函数：首先禁用ISRAM（如果启用ADI_DISABLE_INSTRUCTION_SRAM）。调用 SystemInit 函数初始化系统（如时钟、外设等）。跳转到 __main，进入主程序。

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这是中断

默认的中断处理函数都是无限循环（B .），用户可以根据需要重写这些函数。

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如果使用 __MICROLIB（小型库），则直接导出堆栈和堆的地址。否则，使用 __user_initial_stackheap 函数初始化堆栈和堆。

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还有一段代码

禁用中断：使用 __disable_irq() 禁用所有中断，确保初始化过程不会被中断打断。

设置中断向量表：如果定义了 RELOCATE_IVT，则将中断向量表重定位到 __relocated_vector_table（通常在SRAM中）。否则，使用默认的中断向量表 __vector_table。

启用SRAM保留：

调用 adi_system_EnableRetention(ADI_SRAM_BANK_1, true)，使SRAM Bank1在休眠模式下保留数据。

启用系统异常：设置 SCB->SHCSR 寄存器，启用用法错误（Usage Fault）、总线错误（Bus Fault）和内存管理错误（Memory Fault）异常。

刷新指令和数据流水线：使用 __ISB() 和 __DSB() 确保新的设置立即生效。

调用默认设置：调用 adi_default_setting()，执行其他默认的系统配置。

启用中断：使用 __enable_irq() 重新启用中断。

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先初始化一下

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然后就是时钟配置

DigClkSel(DIGCLK_SOURCE_HFOSC)：选择高频振荡器（HFOSC）作为数字时钟源。ClkDivCfg(1,1)：配置时钟分频器，使HCLK（系统时钟）和PCLK（外设时钟）都为26MHz。

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乱糟糟的

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和这个数据手册倒是挺一致的

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串口

DioCfgPin(pADI_GPIO0,PIN10|PIN11,1)：配置GPIO0的PIN10和PIN11为UART引脚。UrtCfg(pADI_UART0,B230400,(BITM_UART_COMLCR_WLS|3),0)：配置UART0为230400波特率，8位数据位，无校验位，1位停止位。UrtFifoCfg(pADI_UART0, RX_FIFO_1BYTE, BITM_UART_COMFCR_FIFOEN)：配置UART0的FIFO为1字节深度，并启用FIFO。UrtFifoClr(pADI_UART0, BITM_UART_COMFCR_RFCLR|BITM_UART_COMFCR_TFCLR)：清除UART0的接收和发送FIFO。先配置GPIO的模式，然后是UART的配置

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AD5940_MCUResourceInit(0)：初始化AD5940所需的MCU资源（如GPIO、SPI等）。

AD5940_Main()：进入AD5940的主程序，通常用于执行AD5940的主要功能（如信号采集、处理等）。

对AFE的操作在另外一个文件：

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APPBUFF_SIZE：定义应用程序缓冲区的大小为512。

AppBuff：用于存储AD5940的测量数据和命令。

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Keli还行，补全

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keli这个阅读功能也行

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AFE的传感器传感器非常多怎么办？

第一要了解整个测量系统，然后就没了。

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然后就是控制对应的位

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就这样的，就可以使用了

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这个是封装在芯片内部的样子

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昨天群里面发了一个这个，如果使用355就很更小

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内部的ADC很眼熟 精密小体积ADC-AD7682 16位4通道  结构是差不多的，但是结构是不一样的。

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后面是加入了一个仪表放大器的，然后PGA放大，传入ADC

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自带的可以进行工频干扰抑制，以及一部分的DFT处理。

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这个芯片现在有人拿来做阻抗测量

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可以更少的硬件

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因为温漂对ADC的影响非常大，这里居然使用了两个温度计来校准

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测量完可以通过这个寄存器写入

下篇继续

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